ไฮโปฟอสไฟต์อลูมิเนียมเกรดอิเล็กทรอนิกส์

ไฮโปฟอสไฟต์อะลูมิเนียมเกรดอิเล็กทรอนิกส์ที่พัฒนาและผลิตโดย Taixing ใช้เทคโนโลยีหลักของการทำให้บริสุทธิ์วัตถุดิบเกรดอิเล็กทรอนิกส์และการปรับเปลี่ยนการให้เกรดที่แม่นยำ ใช้ Al (H ₂ PO ₂) I3 ที่มีความบริสุทธิ์สูงเป็นเมทริกซ์ โดยมีความบริสุทธิ์มากกว่า 99.8% และมีปริมาณฟอสฟอรัส ≥ 42.5% โดยผสมผสานสารหน่วงไฟที่มีประสิทธิภาพและประสิทธิภาพทางไฟฟ้าที่ยอดเยี่ยมเข้าด้วยกัน ด้วยการเติมเพียง 6% -10% ทำให้ได้สารหน่วงไฟ UL 94 V-0 ที่มีความหนา 1.6 มม. ซึ่งช่วยแก้ปัญหาทางอุตสาหกรรมที่เกิดจากสารหน่วงไฟแบบเดิมได้อย่างสมบูรณ์ "ทำให้สารตั้งต้นปนเปื้อน รบกวนประสิทธิภาพทางไฟฟ้า และไม่เป็นไปตามข้อกำหนดเกรดอิเล็กทรอนิกส์" เป็นโซลูชันวัสดุหลักที่ปลอดภัยและเป็นไปตามข้อกำหนดสำหรับการผลิตอิเล็กทรอนิกส์ระดับไฮเอนด์

จุดแข็งหลัก

1. มีความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษและมีสิ่งเจือปนต่ำ เหมาะสำหรับข้อกำหนดเกรดอิเล็กทรอนิกส์ที่เข้มงวด

-กระบวนการทำให้บริสุทธิ์ขั้นสูงสุดช่วยให้มั่นใจในความบริสุทธิ์: การใช้กระบวนการ "ตกผลึกซ้ำหลายขั้นตอน + การกรองที่แม่นยำ + ไล่แก๊สแบบสูญญากาศ" รวมกัน ความบริสุทธิ์ของผลิตภัณฑ์อยู่ที่ ≥ 99.8% ซึ่งสูงกว่ามาตรฐานเกรดอุตสาหกรรม 99% อย่างมาก ช่วยขจัดสิ่งสกปรกที่เป็นอันตราย เช่น ไอออนคลอไรด์ (≤ 0.001%) และซัลเฟต (≤ 0.002%) ได้อย่างมีประสิทธิภาพ หลีกเลี่ยงการย้ายสิ่งเจือปนที่อาจทำให้เกิดไฟฟ้าลัดวงจรของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ หรือประสิทธิภาพการทำงานลดลง

-สารตกค้างโลหะหนักต่ำเป็นพิเศษ: ด้วยการตรวจจับ ICP-MS ปริมาณโลหะหนักทั้งหมด เช่น ตะกั่ว ปรอท แคดเมียม ฯลฯ จะอยู่ที่ ≤ 0.5ppm ซึ่งต่ำกว่าข้อกำหนดขีดจำกัด RoHS 2.0 มาก ไม่มีสารตกค้างของพาทาเลท (DEHP/BBP ฯลฯ) ซึ่งเป็นไปตามมาตรฐาน "มลพิษต่ำ ความสะอาดสูง" สำหรับวัสดุเกรดอิเล็กทรอนิกส์อย่างสมบูรณ์

- ปริมาณฟอสฟอรัสสูงช่วยให้สามารถหน่วงไฟได้อย่างมีประสิทธิภาพ: ด้วยปริมาณฟอสฟอรัสที่ ≥ 42.5% ประสิทธิภาพในการหน่วงไฟจะเพิ่มขึ้น 40% เมื่อเทียบกับอะลูมิเนียมไฮโปฟอสไฟต์ทั่วไป หลังจากผสมกับสารเสริมฤทธิ์กัน เช่น MCA และ APP แล้ว การเติม 8% ให้กับซับสเตรต PCB จะทำให้สามารถหน่วงไฟได้ระดับ V-0 โดยไม่กระทบต่อคุณสมบัติไดอิเล็กทริกของซับสเตรต

2. ประสิทธิภาพทางไฟฟ้าที่ดีเยี่ยมช่วยให้มั่นใจได้ว่าอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทำงานได้อย่างมีเสถียรภาพ

- การสูญเสียอิเล็กทริกต่ำและฉนวนสูง: ค่าคงที่ไดอิเล็กทริก (1MHz) ≤ 3.8, ปัจจัยการสูญเสียอิเล็กทริก ≤ 0.005, ความต้านทานต่อปริมาตร ≥ 10 ¹⁴Ω· ซม. การเพิ่มนี้จะไม่เปลี่ยนแปลงคุณสมบัติทางไฟฟ้าของซับสเตรตอย่างมีนัยสำคัญ ทำให้มั่นใจได้ถึงความเสถียรในการส่งสัญญาณของบรรจุภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์และอุปกรณ์สื่อสารความถี่สูง

-คุณสมบัติการเคลื่อนตัวของไอออนที่โดดเด่น: หลังจากวางในสภาพแวดล้อมที่ชื้นและร้อนที่ 85 ℃/85% RH เป็นเวลา 1,000 ชั่วโมง ก็ไม่มีปรากฏการณ์การเคลื่อนตัวของไอออนที่ชัดเจน ช่วยให้ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ไม่ประสบ "ความล้มเหลวในการโยกย้ายด้วยไฟฟ้า" และตอบสนองความต้องการการบริการระยะยาวของแบตเตอรี่พลังงานใหม่ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในยานยนต์ และอุปกรณ์อื่นๆ

- ไม่กัดกร่อนและเข้ากันได้ดี: ค่า pH คงที่ที่ 3.5-4.5 และไม่มีผลการกัดกร่อนต่อหน้าสัมผัสโลหะและแผงวงจร มีความเข้ากันได้ดีเยี่ยมกับซับสเตรตเกรดอิเล็กทรอนิกส์ เช่น อีพอกซีเรซิน, PA, PBT ฯลฯ และไม่ทำให้ซับสเตรตเสื่อมหรือประสิทธิภาพลดลง

สถานการณ์การใช้งาน

สาขาเซมิคอนดักเตอร์และบรรจุภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

- การใช้งาน: วัสดุบรรจุภัณฑ์ชิปเซมิคอนดักเตอร์, กาวสำหรับใส่ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์, ตัวเรือนวงจรรวม

- เนื่องจากเป็นสารตัวเติมอิเล็กทริกต่ำเพื่อทดแทนผงไมโครซิลิกอนบางชนิด ปริมาณการเติมคือ 15-30% ในขณะที่ยังคงความลื่นไหล จะลดค่าคงที่ไดอิเล็กทริกลง 0.2-0.3 และปรับปรุงการหน่วงไฟเป็น UL94 V-0 ใช้สำหรับบรรจุภัณฑ์ CPU, GPU และชิปจัดเก็บข้อมูล

สนามแผงวงจรพิมพ์ (PCB)

- การใช้งาน: วัสดุพื้นผิว PCB, ลามิเนตเคลือบทองแดงที่ทนไฟ, เคสแผงวงจร

-ลามิเนตเคลือบทองแดง (CCL): คอมโพสิตที่มีเรซินความถี่สูง เช่น PTFE, PPO, ไซยาเนตเอสเทอร์ ฯลฯ โดยเติม E-AHP100 20-40% ทำให้ได้ Dk 3.2-3.8 และ Df<0.005 ซึ่งตรงตามข้อกำหนดของแผงเสาอากาศคลื่นมิลลิเมตร 5G และแผงหลังเซิร์ฟเวอร์ความเร็วสูง

หากคุณกำลังมองหาอลูมิเนียมฟอสเฟตเกรดอิเล็กทรอนิกส์ สารหน่วงไฟสำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ สารหน่วงไฟสำหรับพื้นผิว PCB และสารหน่วงไฟสำหรับแบตเตอรี่พลังงานใหม่ Taixing จะเป็นพันธมิตรที่ดีที่สุดของคุณและเราจะให้ความร่วมมือในราคาต่ำที่สุด!